LOW VF溝槽式肖特基芯片：

溝槽工藝與平面工藝的區別

平面肖特基二極管具有優(yōu)異的高頻特性和較低的正向開(kāi)啟電壓,這些獨特的性質(zhì)使得其在太陽(yáng)能電池,開(kāi)關(guān)電源、汽車(chē)以及手機等多個(gè)領(lǐng)域都有著(zhù)巨大的應用潛力。但是,在反向偏壓下,鏡像力導致的勢壘降低效應,導致了平面肖特基二極管阻斷能力差的缺點(diǎn)。TMBS結構的出現很好地解決這個(gè)問(wèn)題,其主要有兩個(gè)肖特基結相結合的雙勢壘金屬肖特基結二極管器件、利用PN結與肖特基結結合的含PN結構的肖特基二極管,以及利用金屬-氧化物-半導體結構和肖特基結結合的溝槽式勢壘肖特基二極管(TMBS),并且TMBS由于優(yōu)異的高頻特性及結構參數的易調性,受到了更為廣泛的關(guān)注。

溝槽芯片

優(yōu)勢 具有較低的動(dòng)態(tài)內阻、VF與IR的易調性可以滿(mǎn)足各種不同方案的使用需求。